高溫電爐生產多晶（jīng）矽的核（hé）心設備，其采用鍾罩式反應（yīng）器高溫電（diàn）爐，將混合（hé）後的SiHCl3和H2從反應（yīng）器底部的眾多噴口噴入，SiHCl3和H2反應，非均向（xiàng）成核生成多晶矽沉積在矽芯表麵，逐漸長大成矽棒，生長（zhǎng）過程中矽棒表麵溫度1050~1100C。在（zài）非均（jun1）向成核進行的同時，SiHCl3和H2也發生均向成（chéng）核反應生成無定型矽粉，反應的程度主要取決於溫度、配比等方麵的因素。為避免均向成核產生（shēng）大量的矽（guī）粉，流體（tǐ）采用混流，即噴嘴引入冷（lěng）物（wù）流持續噴向高溫的矽棒表麵，避免局部溫度過高引發爆米花和（hé）大量矽粉的產生，這種模（mó）式（shì）也決定了（le）還原爐噴口直（zhí）噴、氣流底（dǐ）進底出的（de）現有模式。也正因為此，高溫進料（進料溫度高會引起大量矽粉）及平推式反應模型（比如噴口完全側噴、氣流底進頂出）都是會失敗的。

  高溫電爐流體（tǐ）力學模（mó）擬是個（gè）複雜的（de）計算過程，小編為了簡化（huà）說明問題，把複雜的計算和抽象（xiàng）的模擬舍棄，僅以幾個氣體射流基本公式來推理噴口流速的合理取值。

  氣體射流是流體力學基本的模型，當氣體從孔口或管嘴以一定的流速噴出後，由於射流為紊流流態，紊流的橫向脈動造成射流與周圍氣體發生動量交換，從而（ér）把（bǎ）相（xiàng）鄰的靜止流（liú）體卷吸到射流中來，兩者一起向前運動，於是射流的過流斷麵沿程不斷擴大，流量不斷增加。