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單晶（jīng）薄膜碳（tàn）化（huà）矽片高溫燒結電爐（lú）
作者： 發布時間：2023-05-15 瀏覽次（cì）數：9110
碳化矽外延片（piàn）是指在碳化矽襯底上生長了（le）一層（céng）有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶（jīng）薄膜（外延層）的碳化（huà）矽片。 SiC器件是指（zhǐ）以碳化矽為原材料製成的器件（jiàn），按（àn）照電阻性能的不同分為導電型碳化矽功率器件和半絕緣型（xíng）碳化矽基射頻器件。SiC器件（jiàn）在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領（lǐng）域和航天、軍工、核能等極（jí）端環境（jìng）應用領域（yù）有著不可替代的優勢，彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷，正逐漸（jiàn）成為功率半導體的主流。
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